品牌 | onsemi(安森美) |
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封装 | WDFN(4.5x12.5) |
包装形式 | 圆盘 |
包装数量 | 3000 |
库存数量 | 432 |
商品描述 |
电源电压:57V GreenBridgeTM 2 系列高效桥式整流器 FDMQ8205A 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET,因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。传统二极管桥的功率损耗相对较高,在很多应用中都不希望发生这种情况。尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此,因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET,因此与传统二极管桥相比,可以降低由于电压降造成的功率损耗。FDMQ8205A 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压,消除 PoE PD 应用中的热设计问题。FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求,因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。
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产品型号 | FDMQ8205A |
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品牌 | onsemi(安森美) |
封装 | WDFN(4.5x12.5) |
包装数量 | 3000 |
包装方式 | 圆盘 |
电源电压:57V GreenBridgeTM 2 系列高效桥式整流器 FDMQ8205A 是用于桥式应用的 GreenBridgeTM2 系列四 MOSFET,因此输入对器件所连接电源的极性不敏感。很多知名桥式整流电路均可使用传统二极管进行配置。传统二极管桥的功率损耗相对较高,在很多应用中都不希望发生这种情况。尤其对于要求高效桥接的以太网电源 (PoE) 供电设备 (PD) 应用来说更是如此,因为此应用要使用 IEEE802.3at 类别电源设备 (PSE) 提供的有限功率运行。FDMQ8205 配备了低 rDS(on) 的双 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET,因此与传统二极管桥相比,可以降低由于电压降造成的功率损耗。FDMQ8205A 使得应用能够最大程度利用可用功率和电压,消除 PoE PD 应用中的热设计问题。FDMQ8205 GreenBridgeTM2 不会降低检测和分类要求,因此可兼容 IEEE802.3at PoE 标准。