发布日期：2022-11-09 09:40:28
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在京合连线7日举行的新闻发布会上，工业和信息化部电子信息司副司长杨旭东介绍，2021年，中国集成电路销售总额首次突破万亿元，达到10458亿元，2012-2021年复合增长率为19％，是同期全球增速的3倍。2020年，我国政府出台了《新时期促进集成电路技术产业和软件进行产业经济高质量教育发展社会若干政策》监控和复位芯片，所有管理政策对内外资企业一视同仁。同时，近年来，在国内外企业的共同努力下，我国……
发布日期：2022-11-09 09:29:16
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据悉，今年年初，紫光张瑞宣布任命任其伟先生为公司代理CEO，与董事长吴圣武共同带领紫光张瑞，在5G芯片等关键领域继续发力，实现突破性增长。公开资料显示，任其伟在半导体领域拥有近20年的企业管理和运营经验。他是荷兰飞利浦半导体公司的高级工程师和项目负责人，电机驱动芯片主要从事智能卡芯片的设计和研发工作。之后加入德国奇梦达公司西安研发中心，担任设计总监。2009年，任其伟推动浪潮集团收购研发中心，重组……
发布日期：2022-11-09 09:18:26
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一、相变存储器的特性和功能 相变存储器既有Nor-type闪存、Memory Nand-type闪存，也有RAM或EEpROM特定的属性。 1.1位变量 与RAM或EEPROM一样，PCM可变最小单位为1。闪存技术在更改存储的信息时需要单独的删除步骤。电流调节和管理可变存储中存储的信息可以直接从1更改为0，也可以从0更改为1，而无需单独的删除步骤。 2.非挥发性 NOR闪存和NAND闪存……
发布日期：2022-11-08 10:39:06
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2022年10月7日，美国商务部工业安全局(BIS)为了限制中国的高级计算芯片和超级计算机，发布了[《出口管理条例》]对中国的一系列新的出口管制规定。 BIS包括18纳米工艺DRAM、128层NAND闪存芯片、16/14纳米逻辑芯片的中国本土制造商18纳米工艺DRAM、128层NAND闪存芯片和16/14纳米逻辑芯片的中国成熟流程28纳米以上中国对本土制造商没有影响。 目前中国大陆晶圆能力以成……
发布日期：2022-11-08 10:35:24
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全新1Tb V-NAND是三星目前V-NAND中存储密度最高的，为全球企业系统提供了更大容量和更高密度的存储解决方案。该报告称，三星的第8代V-NAND通过3D缩放，将减少表面积和高度，监控和复位芯片同时避免缩放时通常会发生的单元间干扰。通过3D缩放，三星可以显著提高每个晶圆的存储密度。三星电子的第8代V-NAND基于最新的NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口，电压基准芯片输入输出(I……
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